首页> 外文OA文献 >Analysis of temperature dependent current-voltage and capacitance-voltage characteristics of an Au/V2O5/n-Si Schottky diode

【2h】

Analysis of temperature dependent current-voltage and capacitance-voltage characteristics of an Au/V2O5/n-Si Schottky diode

机译：au / V2O5 / n-si肖特基二极管的温度相关电流 - 电压和电容 - 电压特性分析

代理获取

本网站仅为用户提供外文OA文献查询和代理获取服务，本网站没有原文。下单后我们将采用程序或人工为您竭诚获取高质量的原文，但由于OA文献来源多样且变更频繁，仍可能出现获取不到、文献不完整或与标题不符等情况，如果获取不到我们将提供退款服务。请知悉。

页面导航

著录项
引文网络
相似文献
相关主题

著录项

作者
Somnath Mahato; Debaleen Biswas; Luis G. Gerling; Cristobal Voz; Joaquim Puigdollers;
展开▼
作者单位

展开▼
年度 2017
总页数
原文格式 PDF
正文语种
中图分类

相似文献

外文文献
中文文献
专利

1. Analysis of temperature dependent current-voltage and capacitance-voltage characteristics of an Au/V2O5-Si Schottky diode [J] . Somnath Mahato, Debaleen Biswas, Luis G. Gerling, AIP Advances . 2017,第8期

机译：Au / V2O5 / n-Si肖特基二极管的温度相关电流-电压和电容-电压特性分析
2. Temperature Dependent Current-Voltage and Capacitance-Voltage Characteristics of an Au-Type Si Schottky Barrier Diode Modified Using a PEDOT:PSS Interlayer [J] . Khurelbaatar Zagarzusem, Shim Kyu-Hwan, Choi Jaehee, Materials transactions . 2015,第1期

机译：使用PEDOT：PSS中间层修饰的Au / n型Si肖特基势垒二极管的温度相关电流电压和电容电压特性
3. Analysis of the temperature-dependent current-voltage characteristics and the barrier-height inhomogeneities of Au/GaN Schottky diodes [J] . Basanta Roul, Thirumaleshwara N. Bhat, Mahesh Kumar, Physica status solidi . 2012,第8期

机译：Au / GaN肖特基二极管的温度相关电流-电压特性和势垒高度不均匀性分析
4. Effect of Interfacial Layer on The Forward Current-Voltage Characteristics of Au/n-Si And Ni/n-Si Schottky Diodes [C] . Rajinder Sharma, Naresh Padha, Jitendra Kumar International Workshop on the Physics of Semiconductor Devices . 2002

机译：界面层对AU / N-Si和Ni / N-Si肖特基二极管前电电压特性的影响
5. Schottky barriers for (0001), (0001bar), (11bar00), and (12bar10) crystallographic faces of four hydrogen and 6 hydrogen silicon carbide measured by current-voltage, capacitance-voltage and internal photoemission methods. [D] . Shigiltchoff, Oleg. 2003

机译：通过电流-电压，电容-电压和内部光发射法测量的四个氢和六个氢碳化硅的（0001），（0001bar），（11bar00）和（12bar10）晶面的肖特基势垒。
6. Mobility Models Based on Forward Current-Voltage Characteristics of P-type Pseudo-Vertical Diamond Schottky Barrier Diodes [O] . Min-Woo Ha, Ogyun Seok, Hojun Lee, 2020

机译：基于P型伪垂直金刚石肖特基势垒二极管正向电流-电压特性的迁移模型
7. Analysis of temperature dependent current-voltage and capacitance-voltage characteristics of an Au/V2O5/ n -Si Schottky diode [O] . Mahato, Somnath, Biswas, Debaleen, Gerling Sarabia, Luis Guillermo, 2017

机译：au / V2O5 / n -si肖特基二极管的温度相关电流 - 电压和电容 - 电压特性分析

Analysis of temperature dependent current-voltage and capacitance-voltage characteristics of an Au/V2O5/n-Si Schottky diode

著录项

引文网络

相似文献

相关主题

期刊订阅